DMN2400UV-7 MOSFET MOSFET, N-채널
♠ 상품 설명
제품 속성 | 속성 값 |
제조업체: | 다이오드 통합 |
제품 카테고리: | MOSFET |
기술: | Si |
장착 스타일: | SMD/SMT |
패키지/케이스: | SOT-563-6 |
트랜지스터 극성: | N채널 |
채널 수: | 2채널 |
Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 20V |
Id - 연속 드레인 전류: | 1.33A |
Rds On - 드레인 소스 저항: | 480m옴 |
Vgs - 게이트 소스 전압: | - 12V, +12V |
Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: | 500mV |
Qg - 게이트 차지: | 500pC |
최소 작동 온도: | - 55℃ |
최대 작동 온도: | + 150C |
Pd - 전력 손실: | 530mW |
채널 모드: | 상승 |
포장: | 릴 |
포장: | 컷 테이프 |
포장: | 마우스릴 |
상표: | 다이오드 통합 |
구성: | 듀얼 |
낙하 시간: | 10.54ns |
제품: | MOSFET 소신호 |
상품 유형: | MOSFET |
상승 시간: | 7.28ns |
시리즈: | DMN2400 |
공장 팩 수량: | 3000 |
하위 범주: | MOSFET |
트랜지스터 유형: | 2 N 채널 |
일반적인 끄기 지연 시간: | 13.74ns |
일반적인 켜기 지연 시간: | 4.06ns |
단위 무게: | 0.000212온스 |
· 보완 P + N 채널
· 강화 모드
· 슈퍼 로직 레벨(정격 2.5V)
· 공통배수구
· 눈사태 등급
· 작동 온도 175°C
· AEC Q101에 따라 인증됨
· 100% 무연;RoHS 준수
· IEC61246-21에 따른 할로겐 프리