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FDC6303N MOSFET SSOT-6 N-CH 25V

FDC6303N MOSFET SSOT-6 N-CH 25V 특징 이미지
  • FDC6303N MOSFET SSOT-6 N-CH 25V

간단한 설명:

제조업체: ON Semiconductor

제품 카테고리: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이

데이터 시트:FDC6303N

설명: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

RoHS 상태: RoHS 준수


우리에게 이메일을 보내주세요

제품 상세 정보

제품 태그

♠ 제품 설명

제품 속성 속성 값
제조사: 온세미
제품 카테고리: 모스펫
RoHS: 세부
기술: Si
장착 스타일: SMD/SMT
패키지/케이스: SSOT-6
트랜지스터 극성: N채널
채널 수: 2채널
Vds - 드레인-소스 항복 전압: 25V
Id - 연속 드레인 전류: 680mA
RDS 켜짐 - 드레인-소스 저항: 450m옴
Vgs - 게이트-소스 전압: - 8V, + 8V
Vgs th - 게이트-소스 임계 전압: 650mV
Qg - 게이트 전하: 2.3nC
최소 작동 온도: - 55도
최대 작동 온도: + 150도
Pd - 전력 소모: 900mW
채널 모드: 상승
포장: 릴
포장: 테이프를 자르다
포장: 마우스릴
상표: 온세미 / 페어차일드
구성: 듀얼
가을 시간: 8.5나노초
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 0.145초
키: 1.1mm
길이: 2.9mm
제품: MOSFET 소신호
제품 유형: 모스펫
상승 시간: 8.5나노초
시리즈: FDC6303N
공장 포장 수량: 3000
하위 카테고리: MOSFET
트랜지스터 유형: 2 N채널
유형: FET
일반적인 꺼짐 지연 시간: 17나노초
일반적인 켜짐 지연 시간: 3나노
너비: 1.6mm
부품 번호 별칭: FDC6303N_NL
단위 무게: 0.001270 온스

  • 이전의: STM32L431RCT6 ARM 마이크로컨트롤러 - MCU 초저전력 FPU Arm Cortex-M4 MCU 80MHz 256KB 플래시
  • 다음: STM32F407ZGT6 ARM 마이크로컨트롤러 IC MCU ARM M4 1024 플래시 192kB SRAM

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