| 제품의 속성 | Valor de atributo |
| 파브리칸테: | 온세미 |
| 제품 카테고리: | MOSFET |
| RoHS: | 상세 |
| 기술: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| 파케테/쿠비에르타: | DPAK-3 |
| Polaridad 델 트랜지스터: | N채널 |
| 채널 번호: | 1 채널 |
| Vds - Tensiónruptiva entre drenaje y fuente: | 100V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 42A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 31m옴 |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20V, +20V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 1V |
| Qg - Carga de puerta: | 26nC |
| 작업 온도 최소: | - 55℃ |
| 최대 작업 온도: | + 150C |
| Dp - Disipación de potencia : | 54W |
| 모도운하: | 상승 |
| Nombre 광고: | 파워트렌치 |
| 엠파케타도: | 릴 |
| 엠파케타도: | 컷 테이프 |
| 엠파케타도: | 마우스릴 |
| 마르카: | 온세미 / 페어차일드 |
| 구성: | 하나의 |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 31초 |
| 알투라: | 2.39mm |
| 경도: | 6.73mm |
| 제품 정보: | MOSFET |
| 시리즈: | FDD86102LZ |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 2500 |
| 하위 카테고리: | MOSFET |
| 트랜지스터 유형: | N채널 1개 |
| 안초: | 6.22mm |
| 페소 데 라 우니다드: | 0.011640온스 |
