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FDMC6679AZ MOSFET -30V P채널 전력 트렌치

FDMC6679AZ MOSFET -30V P채널 전력 트렌치 특징 이미지
  • FDMC6679AZ MOSFET -30V P채널 전력 트렌치

간단한 설명:

제조사:onsemi

제품 카테고리:MOSFET

데이터 시트:FDMC6679AZ

설명: MOSFET P-CH 30V POWER33

RoHS 상태: RoHS 준수


우리에게 이메일을 보내주세요

제품 상세 정보

특징

응용 프로그램

제품 태그

♠ 제품 설명

제품 속성 속성 값
제조사: 온세미
제품 카테고리: 모스펫
RoHS: 세부
기술: Si
장착 스타일: SMD/SMT
패키지/케이스: 파워-33-8
트랜지스터 극성: P채널
채널 수: 1채널
Vds - 드레인-소스 항복 전압: 30V
Id - 연속 드레인 전류: 20A
RDS 켜짐 - 드레인-소스 저항: 10m옴
Vgs - 게이트-소스 전압: - 25V, + 25V
Vgs th - 게이트-소스 임계 전압: 1.8V
Qg - 게이트 전하: 37nC
최소 작동 온도: - 55도
최대 작동 온도: + 150도
Pd - 전력 소모: 41와트
채널 모드: 상승
상표명: 파워트렌치
포장: 릴
포장: 테이프를 자르다
포장: 마우스릴
상표: 온세미 / 페어차일드
구성: 하나의
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 46초
키: 0.8mm
길이: 3.3mm
제품 유형: 모스펫
시리즈: FDMC6679AZ
공장 포장 수량: 3000
하위 카테고리: MOSFET
트랜지스터 유형: 1 P채널
너비: 3.3mm
단위 무게: 0.005832온스

♠ FDMC6679AZ P채널 PowerTrench® MOSFET -30V, -20A, 10mΩ

FDMC6679AZ는 부하 스위치 애플리케이션에서 손실을 최소화하도록 설계되었습니다. 실리콘 및 패키지 기술의 발전을 통해 최저 rDS(on) 및 ESD 보호 기능을 제공합니다.


  • 이전의: STM32F405RGT6 ARM 마이크로컨트롤러 MCU ARM M4 1024 플래시 168MHz 192kB SRAM
  • 다음: STM32F405VGT6 ARM 마이크로컨트롤러 MCU ARM M4 1024 플래시 168MHz 192kB SRAM

  • • 최대 rDS(on) = VGS = -10V, ID = -11.5A에서 10mΩ

    • VGS = -4.5V, ID = -8.5A에서 최대 rDS(on) = 18mΩ

    • HBM ESD 보호 수준은 일반적으로 8kV입니다(참고 3)

    • 배터리 애플리케이션을 위한 확장된 VGSS 범위(-25V)

    • 매우 낮은 rDS(on)을 위한 고성능 트렌치 기술

    • 높은 전력 및 전류 처리 능력

    • 종단은 무연이며 RoHS 규정을 준수합니다.

     

    • 노트북 및 서버의 로드 스위치

    • 노트북 배터리 팩 전원 관리

     

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