FDMC6679AZ MOSFET -30V P채널 전력 트렌치
♠ 제품 설명
제품 속성 | 속성 값 |
제조사: | 온세미 |
제품 카테고리: | 모스펫 |
RoHS: | 세부 |
기술: | Si |
장착 스타일: | SMD/SMT |
패키지/케이스: | 파워-33-8 |
트랜지스터 극성: | P채널 |
채널 수: | 1채널 |
Vds - 드레인-소스 항복 전압: | 30V |
Id - 연속 드레인 전류: | 20A |
RDS 켜짐 - 드레인-소스 저항: | 10m옴 |
Vgs - 게이트-소스 전압: | - 25V, + 25V |
Vgs th - 게이트-소스 임계 전압: | 1.8V |
Qg - 게이트 전하: | 37nC |
최소 작동 온도: | - 55도 |
최대 작동 온도: | + 150도 |
Pd - 전력 소모: | 41와트 |
채널 모드: | 상승 |
상표명: | 파워트렌치 |
포장: | 릴 |
포장: | 테이프를 자르다 |
포장: | 마우스릴 |
상표: | 온세미 / 페어차일드 |
구성: | 하나의 |
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: | 46초 |
키: | 0.8mm |
길이: | 3.3mm |
제품 유형: | 모스펫 |
시리즈: | FDMC6679AZ |
공장 포장 수량: | 3000 |
하위 카테고리: | MOSFET |
트랜지스터 유형: | 1 P채널 |
너비: | 3.3mm |
단위 무게: | 0.005832온스 |
♠ FDMC6679AZ P채널 PowerTrench® MOSFET -30V, -20A, 10mΩ
FDMC6679AZ는 부하 스위치 애플리케이션에서 손실을 최소화하도록 설계되었습니다. 실리콘 및 패키지 기술의 발전을 통해 최저 rDS(on) 및 ESD 보호 기능을 제공합니다.
• 최대 rDS(on) = VGS = -10V, ID = -11.5A에서 10mΩ
• VGS = -4.5V, ID = -8.5A에서 최대 rDS(on) = 18mΩ
• HBM ESD 보호 수준은 일반적으로 8kV입니다(참고 3)
• 배터리 애플리케이션을 위한 확장된 VGSS 범위(-25V)
• 매우 낮은 rDS(on)을 위한 고성능 트렌치 기술
• 높은 전력 및 전류 처리 능력
• 종단은 무연이며 RoHS 규정을 준수합니다.
• 노트북 및 서버의 로드 스위치
• 노트북 배터리 팩 전원 관리