FDN335N MOSFET SSOT-3 N-CH 20V
♠ 제품 설명
| 제품 속성 | 귀속 가치 |
| 제작자: | 온세미 |
| 제품 카테고리: | 모스펫 |
| RoHS: | 세부 정보 |
| 기술: | Si |
| 등산 스타일: | SMD/SMT |
| 파케테/쿠비에르타: | SSOT-3 |
| 트랜지스터의 극성: | N채널 |
| 운하 번호: | 1채널 |
| Vds - Tensiónruptiva entre drenaje y fuente: | 20V |
| Id - Corriente de drenaje continuea: | 1.7A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 55m옴 |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 8V, + 8V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 400mV |
| Qg - 문 로드: | 5nC |
| 최소 작업 온도: | - 55도 |
| 최대 온도 온도: | + 150도 |
| Dp - Disipación de potencia: | 500mW |
| 모도 운하: | 상승 |
| 상업 이름: | 파워트렌치 |
| 포장됨: | 릴 |
| 포장됨: | 테이프를 자르다 |
| 포장됨: | 마우스릴 |
| 브랜드: | 온세미 / 페어차일드 |
| 구성: | 하나의 |
| 시간이 흐르는 시간: | 8.5나노초 |
| Transconductancia hacia delante - 최소: | 7초 |
| 알투라: | 1.12mm |
| 경도: | 2.9mm |
| 제품: | MOSFET 소신호 |
| 제품 유형: | 모스펫 |
| 구독 시간: | 8.5나노초 |
| 시리즈: | FDN335N |
| 직물의 엠파케 칸티다드(Cantidad de empaque de fábrica): | 3000 |
| 하위 카테고리: | MOSFET |
| 트랜지스터 종류: | 1 N채널 |
| 유형: | 모스펫 |
| 아파가도 시간 지연 시간: | 11나노초 |
| 엔센디도 데모의 주제: | 5나노초 |
| 안초: | 1.4mm |
| 별칭 조각 번호: | FDN335N_NL |
| 단위의 무게: | 0.001058온스 |
♠ N채널 2.5V 지정 PowerTrenchTM MOSFET
이 N채널 2.5V 지정 MOSFET은 온 상태 저항을 최소화하고도 낮은 게이트 전하를 유지하여 탁월한 스위칭 성능을 제공하도록 특별히 맞춤 제작된 ON Semiconductor의 고급 PowerTrench 공정을 사용하여 생산됩니다.
• 1.7A, 20V. RDS(ON) = 0.07Ω @ VGS = 4.5V RDS(ON) = 0.100Ω @ VGS = 2.5V.
• 낮은 게이트 전하(일반적으로 3.5nC).
• 매우 낮은 RDS(ON)을 위한 고성능 트렌치 기술.
• 높은 전력 및 전류 처리 능력.
• DC/DC 컨버터
• 부하 스위치
