IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ 상품 설명
제품 속성 | 속성 값 |
제조업체: | 인피니언 |
제품 카테고리: | MOSFET |
기술: | Si |
장착 스타일: | SMD/SMT |
패키지/케이스: | TO-252-3 |
트랜지스터 극성: | N채널 |
채널 수: | 1 채널 |
Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 40V |
Id - 연속 드레인 전류: | 50A |
Rds On - 드레인 소스 저항: | 7.2m옴 |
Vgs - 게이트 소스 전압: | - 20V, +20V |
Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: | 2V |
Qg - 게이트 차지: | 22.4nC |
최소 작동 온도: | - 55℃ |
최대 작동 온도: | + 175C |
Pd - 전력 손실: | 46W |
채널 모드: | 상승 |
자격: | AEC-Q101 |
상표명: | OptiMOS |
포장: | 릴 |
포장: | 컷 테이프 |
포장: | 마우스릴 |
상표: | 인피니언 테크놀로지스 |
구성: | 하나의 |
낙하 시간: | 6ns |
키: | 2.3mm |
길이: | 6.5mm |
상품 유형: | MOSFET |
상승 시간: | 7ns |
시리즈: | OptiMOS-T2 |
공장 팩 수량: | 2500 |
하위 범주: | MOSFET |
트랜지스터 유형: | N채널 1개 |
일반적인 끄기 지연 시간: | 5ns |
일반적인 켜기 지연 시간: | 5ns |
너비: | 6.22mm |
부품 번호 별칭: | IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1 |
단위 무게: | 0.011640온스 |
• N채널 – 향상 모드
• AEC 인증
• MSL1 최대 260°C 피크 리플로우
• 175°C 작동 온도
• 친환경 제품(RoHS 준수)
• 100% Avalanche 테스트 완료