IPD50N04S4-10 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ 제품 설명
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조사: | 인피니언 |
| 제품 카테고리: | 모스펫 |
| RoHS: | 세부 |
| 기술: | Si |
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | TO-252-3 |
| 트랜지스터 극성: | N채널 |
| 채널 수: | 1채널 |
| Vds - 드레인-소스 항복 전압: | 40V |
| Id - 연속 드레인 전류: | 50A |
| RDS 켜짐 - 드레인-소스 저항: | 9.3m옴 |
| Vgs - 게이트-소스 전압: | - 20V, + 20V |
| Vgs th - 게이트-소스 임계 전압: | 3V |
| Qg - 게이트 전하: | 18.2nC |
| 최소 작동 온도: | - 55도 |
| 최대 작동 온도: | + 175도 |
| Pd - 전력 소모: | 41와트 |
| 채널 모드: | 상승 |
| 자격: | AEC-Q101 |
| 상표명: | 옵티모스 |
| 포장: | 릴 |
| 포장: | 테이프를 자르다 |
| 상표: | 인피니언 테크놀로지스 |
| 구성: | 하나의 |
| 가을 시간: | 5나노초 |
| 키: | 2.3mm |
| 길이: | 6.5mm |
| 제품 유형: | 모스펫 |
| 상승 시간: | 7나노초 |
| 시리즈: | 옵티모스-T2 |
| 공장 포장 수량: | 2500 |
| 하위 카테고리: | MOSFET |
| 트랜지스터 유형: | 1 N채널 |
| 일반적인 꺼짐 지연 시간: | 4나노 |
| 일반적인 켜짐 지연 시간: | 5나노초 |
| 너비: | 6.22mm |
| 부품 번호 별칭: | IPD5N4S41XT SP000711466 IPD50N04S410ATMA1 |
| 단위 무게: | 330mg |
• N채널 – 향상 모드
• AEC 인증
• MSL1 최대 260°C 피크 리플로우
• 175°C 작동 온도
• 친환경 제품(RoHS 준수)
• 100% 눈사태 테스트 완료
