IPD50N04S4-10 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ 상품 설명
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조업체: | 인피니언 |
| 제품 카테고리: | MOSFET |
| RoHS: | 세부 |
| 기술: | Si |
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | TO-252-3 |
| 트랜지스터 극성: | N채널 |
| 채널 수: | 1 채널 |
| Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 40V |
| Id - 연속 드레인 전류: | 50A |
| Rds On - 드레인 소스 저항: | 9.3m옴 |
| Vgs - 게이트 소스 전압: | - 20V, +20V |
| Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: | 3V |
| Qg - 게이트 차지: | 18.2nC |
| 최소 작동 온도: | - 55℃ |
| 최대 작동 온도: | + 175C |
| Pd - 전력 손실: | 41W |
| 채널 모드: | 상승 |
| 자격: | AEC-Q101 |
| 상표명: | OptiMOS |
| 포장: | 릴 |
| 포장: | 컷 테이프 |
| 상표: | 인피니언 테크놀로지스 |
| 구성: | 하나의 |
| 낙하 시간: | 5ns |
| 키: | 2.3mm |
| 길이: | 6.5mm |
| 상품 유형: | MOSFET |
| 상승 시간: | 7ns |
| 시리즈: | OptiMOS-T2 |
| 공장 팩 수량: | 2500 |
| 하위 범주: | MOSFET |
| 트랜지스터 유형: | N채널 1개 |
| 일반적인 끄기 지연 시간: | 4ns |
| 일반적인 켜기 지연 시간: | 5ns |
| 너비: | 6.22mm |
| 부품 번호 별칭: | IPD5N4S41XT SP000711466 IPD50N04S410ATMA1 |
| 단위 무게: | 330mg |
• N채널 – 향상 모드
• AEC 인증
• MSL1 최대 260°C 피크 리플로우
• 175°C 작동 온도
• 친환경 제품(RoHS 준수)
• 100% Avalanche 테스트 완료
