IXFA22N65X2 MOSFET 650V/22A 울트라 정션 X2
♠ 상품 설명
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조업체: | IXYS |
| 제품 카테고리: | MOSFET |
| 기술: | Si |
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | TO-263-3 |
| 트랜지스터 극성: | N채널 |
| 채널 수: | 1 채널 |
| Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 650V |
| Id - 연속 드레인 전류: | 22A |
| Rds On - 드레인 소스 저항: | 160m옴 |
| Vgs - 게이트 소스 전압: | - 30V, +30V |
| Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: | 2.7V |
| Qg - 게이트 차지: | 38nC |
| 최소 작동 온도: | - 55℃ |
| 최대 작동 온도: | + 150C |
| Pd - 전력 손실: | 360W |
| 채널 모드: | 상승 |
| 상표명: | HiPerFET |
| 포장: | 튜브 |
| 상표: | IXYS |
| 구성: | 하나의 |
| 낙하 시간: | 10ns |
| 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: | 8S |
| 상품 유형: | MOSFET |
| 상승 시간: | 35ns |
| 시리즈: | 650V 울트라 정션 X2 |
| 공장 팩 수량: | 50 |
| 하위 범주: | MOSFET |
| 일반적인 끄기 지연 시간: | 33ns |
| 일반적인 켜기 지연 시간: | 38ns |
| 단위 무게: | 0.139332온스 |
