LCMXO640C-3TN144I FPGA – 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 640 LUTS 113 I/0
♠ 상품 설명
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조업체: | 격자 |
| 제품 카테고리: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 |
| RoHS: | 세부 |
| 시리즈: | LCMXO640C |
| 논리 요소의 수: | 640 르 |
| I/O 수: | 113 I/O |
| 공급 전압 - 최소: | 1.71V |
| 공급 전압 - 최대: | 3.465V |
| 최소 작동 온도: | - 40℃ |
| 최대 작동 온도: | + 100C |
| 데이터 속도: | - |
| 트랜시버 수: | - |
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | TQFP-144 |
| 포장: | 쟁반 |
| 상표: | 격자 |
| 분산 RAM: | 6.1kbit |
| 키: | 1.4mm |
| 길이: | 20mm |
| 최대 작동 주파수: | 500MHz |
| 수분 민감성: | 예 |
| 로직 어레이 블록 수 - LAB: | 80 랩 |
| 작동 공급 전류: | 17mA |
| 작동 공급 전압: | 1.8V/2.5V/3.3V |
| 상품 유형: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 |
| 공장 팩 수량: | 60 |
| 하위 범주: | 프로그래머블 로직 IC |
| 총 메모리: | 6.1kbit |
| 너비: | 20mm |
| 단위 무게: | 1.319g |
비휘발성, 무한 재구성 가능
• 인스턴트 온 – 마이크로초 안에 전원 켜짐
• 단일 칩, 외부 구성 메모리 필요 없음
• 뛰어난 설계 보안, 가로채는 비트 스트림 없음
• 밀리초 단위로 SRAM 기반 로직 재구성
• JTAG 포트를 통해 프로그래밍 가능한 SRAM 및 비휘발성 메모리
• 비휘발성 메모리의 백그라운드 프로그래밍 지원
절전 모드
• 최대 100배의 정적 전류 감소 허용
TransFR™ 재구성(TFR)
• 시스템 작동 중 현장 로직 업데이트
로직 밀도에 대한 높은 I/O
• 256~2280개의 LUT4
• 광범위한 패키지 옵션이 포함된 73~271개의 I/O
• 밀도 마이그레이션 지원
• 무연/RoHS 준수 포장
임베디드 및 분산 메모리
• 최대 27.6Kbits sysMEM™ 임베디드 블록 RAM
• 최대 7.7Kbits 분산 RAM
• 전용 FIFO 제어 로직
유연한 I/O 버퍼
• 프로그래밍 가능한 sysIO™ 버퍼는 광범위한 인터페이스를 지원합니다.
– LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
– LVTTL
– PCI
– LVDS, 버스-LVDS, LVPECL, RSDS
sysCLOCK™ PLL
• 장치당 최대 2개의 아날로그 PLL
• 클록 곱하기, 나누기 및 위상 편이
시스템 수준 지원
• IEEE 표준 1149.1 바운더리 스캔
• 온보드 오실레이터
• 장치는 3.3V, 2.5V, 1.8V 또는 1.2V 전원 공급 장치로 작동합니다.
• IEEE 1532 호환 시스템 내 프로그래밍
