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MMBT3904TT1G 바이폴라 트랜지스터 - BJT 200mA 40V NPN

MMBT3904TT1G 바이폴라 트랜지스터 - BJT 200mA 40V NPN 추천 이미지
  • MMBT3904TT1G 바이폴라 트랜지스터 - BJT 200mA 40V NPN

간단한 설명:

제조업체: ON Semiconductor

제품 카테고리: 트랜지스터 - 바이폴라(BJT) - 단일

데이터 시트:MMBT3904TT1G

설명: TRANS NPN 40V 0.2A SOT416

RoHS 상태: RoHS 준수


우리에게 이메일을 보내주세요

제품 상세 정보

특징

제품 태그

♠ 제품 설명

제품 속성 속성 값
제조사: 온세미
제품 카테고리: 바이폴라 트랜지스터 - BJT
RoHS: 세부
장착 스타일: SMD/SMT
패키지/케이스: SC-75-3
트랜지스터 극성: NPN
구성: 하나의
수집기-이미터 전압 VCEO 최대: 40V
수집기-베이스 전압 VCBO: 60V
이미터-베이스 전압 VEBO: 6V
수집기-이미터 포화 전압: 300mV
최대 DC 수집기 전류: 200mA
Pd - 전력 소모: 225mW
이득 대역폭 곱 fT: 300MHz
최소 작동 온도: - 55도
최대 작동 온도: + 150도
시리즈: MMBT3904T
포장: 릴
포장: 테이프를 자르다
포장: 마우스릴
상표: 온세미
연속 수집기 전류: 0.2A
DC 컬렉터/베이스 이득 hfe 최소: 40
키: 0.75mm
길이: 1.6mm
제품 유형: BJT - 바이폴라 트랜지스터
공장 포장 수량: 3000
하위 카테고리: 트랜지스터
기술: Si
너비: 0.8mm
단위 무게: 0.000089온스

  • 이전의: STM32F410RBT7 고성능 및 DSP FPU, Arm Cortex-M4 MCU
  • 다음: STM32F410C8U6 MCU STM32 동적 효율 MCU BAM

  • • 자동차 및 기타 고유한 사이트 및 제어 변경 요구 사항을 요구하는 애플리케이션을 위한 S 접두사, AEC−Q101 인증 및 PPAP 가능

    • 이 장치는 무연, 무할로겐/무BFR이며 RoHS 규정을 준수합니다.*

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