NTJD4001NT1G MOSFET 30V 250mA 듀얼 N채널
♠ 제품 설명
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조사: | 온세미 |
| 제품 카테고리: | 모스펫 |
| RoHS: | 세부 |
| 기술: | Si |
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | SC-88-6 |
| 트랜지스터 극성: | N채널 |
| 채널 수: | 2채널 |
| Vds - 드레인-소스 항복 전압: | 30V |
| Id - 연속 드레인 전류: | 250mA |
| RDS 켜짐 - 드레인-소스 저항: | 1.5옴 |
| Vgs - 게이트-소스 전압: | - 20V, + 20V |
| Vgs th - 게이트-소스 임계 전압: | 800mV |
| Qg - 게이트 전하: | 900pC |
| 최소 작동 온도: | - 55도 |
| 최대 작동 온도: | + 150도 |
| Pd - 전력 소모: | 272mW |
| 채널 모드: | 상승 |
| 포장: | 릴 |
| 포장: | 테이프를 자르다 |
| 포장: | 마우스릴 |
| 상표: | 온세미 |
| 구성: | 듀얼 |
| 가을 시간: | 82나노초 |
| 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: | 80밀리초 |
| 키: | 0.9mm |
| 길이: | 2mm |
| 제품: | MOSFET 소신호 |
| 제품 유형: | 모스펫 |
| 상승 시간: | 23나노초 |
| 시리즈: | NTJD4001N |
| 공장 포장 수량: | 3000 |
| 하위 카테고리: | MOSFET |
| 트랜지스터 유형: | 2 N채널 |
| 일반적인 꺼짐 지연 시간: | 94나노초 |
| 일반적인 켜짐 지연 시간: | 17나노초 |
| 너비: | 1.25mm |
| 단위 무게: | 0.010229 온스 |
• 빠른 스위칭을 위한 낮은 게이트 전하
• 작은 설치 공간 - TSOP-6보다 30% 더 작음
• ESD 보호 게이트
• AEC Q101 인증 - NVTJD4001N
• 이 장치는 무연이며 RoHS 규정을 준수합니다.
• 저부하 스위치
• 리튬이온 배터리 공급 장치 - 휴대폰, PDA, DSC
• 벅 컨버터
• 레벨 변화
