NTMFS4C029NT1G MOSFET 트렌치 6 30V NCH
♠ 상품 설명
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조업체: | 온세미 |
| 제품 카테고리: | MOSFET |
| RoHS: | 세부 |
| 기술: | Si |
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | SO-8FL-4 |
| 트랜지스터 극성: | N채널 |
| 채널 수: | 1 채널 |
| Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 30V |
| Id - 연속 드레인 전류: | 46A |
| Rds On - 드레인 소스 저항: | 4.9m옴 |
| Vgs - 게이트 소스 전압: | - 20V, +20V |
| Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: | 2.2V |
| Qg - 게이트 차지: | 18.6nC |
| 최소 작동 온도: | - 55℃ |
| 최대 작동 온도: | + 150C |
| Pd - 전력 손실: | 23.6W |
| 채널 모드: | 상승 |
| 포장: | 릴 |
| 포장: | 컷 테이프 |
| 포장: | 마우스릴 |
| 상표: | 온세미 |
| 구성: | 하나의 |
| 낙하 시간: | 7ns |
| 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: | 43S |
| 상품 유형: | MOSFET |
| 상승 시간: | 34ns |
| 시리즈: | NTMFS4C029N |
| 공장 팩 수량: | 1500 |
| 하위 범주: | MOSFET |
| 트랜지스터 유형: | N채널 1개 |
| 일반적인 끄기 지연 시간: | 14ns |
| 일반적인 켜기 지연 시간: | 9ns |
| 단위 무게: | 0.026455온스 |
• 전도 손실을 최소화하는 낮은 RDS(on)
• 드라이버 손실을 최소화하는 낮은 정전 용량
• 최적화된 게이트 전하로 스위칭 손실 최소화
• 이 장치는 Pb-Free, Halogen Free/BFR Free이며 RoHS 규격을 준수합니다.
• CPU 전력 공급
• DC-DC 컨버터
