NTTFS4C10NTAG MOSFET NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
♠ 상품 설명
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조업체: | 온세미 |
| 제품 카테고리: | MOSFET |
| RoHS: | 세부 |
| 기술: | Si |
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | WDFN-8 |
| 트랜지스터 극성: | N채널 |
| 채널 수: | 1 채널 |
| Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 30V |
| Id - 연속 드레인 전류: | 44A |
| Rds On - 드레인 소스 저항: | 7.4m옴 |
| Vgs - 게이트 소스 전압: | - 20V, +20V |
| Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: | 1.3V |
| Qg - 게이트 차지: | 18.6nC |
| 최소 작동 온도: | - 55℃ |
| 최대 작동 온도: | + 150C |
| Pd - 전력 손실: | 3.9W |
| 채널 모드: | 상승 |
| 포장: | 릴 |
| 포장: | 컷 테이프 |
| 포장: | 마우스릴 |
| 상표: | 온세미 |
| 구성: | 하나의 |
| 상품 유형: | MOSFET |
| 시리즈: | NTTFS4C10N |
| 공장 팩 수량: | 1500 |
| 하위 범주: | MOSFET |
| 단위 무게: | 29.570mg |
♠ NTTFS4C10N MOSFET – 전력, 단일, N채널, 8FL 30V, 44A
• 전도 손실을 최소화하는 낮은 RDS(on)
• 드라이버 손실을 최소화하는 낮은 정전 용량
• 최적화된 게이트 전하로 스위칭 손실 최소화
• 이 장치는 Pb-Free, Halogen Free/BFR Free이며 RoHS 규격을 준수합니다.
• DC-DC 컨버터
• 전력 부하 스위치
• 노트북 배터리 관리
