NTZD3154NT1G MOSFET 20V 540mA 듀얼 N채널 w/ESD
♠ 제품 설명
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조사: | 온세미 |
| 제품 카테고리: | 모스펫 |
| 기술: | Si |
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | SOT-563-6 |
| 트랜지스터 극성: | N채널 |
| 채널 수: | 2채널 |
| Vds - 드레인-소스 항복 전압: | 20V |
| Id - 연속 드레인 전류: | 570mA |
| RDS 켜짐 - 드레인-소스 저항: | 550mΩ, 550mΩ |
| Vgs - 게이트-소스 전압: | - 7V, + 7V |
| Vgs th - 게이트-소스 임계 전압: | 450mV |
| Qg - 게이트 전하: | 1.5nC |
| 최소 작동 온도: | - 55도 |
| 최대 작동 온도: | + 150도 |
| Pd - 전력 소모: | 280mW |
| 채널 모드: | 상승 |
| 포장: | 릴 |
| 포장: | 테이프를 자르다 |
| 포장: | 마우스릴 |
| 상표: | 온세미 |
| 구성: | 듀얼 |
| 가을 시간: | 8나노, 8나노 |
| 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: | 1 S, 1 S |
| 키: | 0.55mm |
| 길이: | 1.6mm |
| 제품: | MOSFET 소신호 |
| 제품 유형: | 모스펫 |
| 상승 시간: | 4ns, 4ns |
| 시리즈: | NTZD3154N |
| 공장 포장 수량: | 4000 |
| 하위 카테고리: | MOSFET |
| 트랜지스터 유형: | 2 N채널 |
| 일반적인 꺼짐 지연 시간: | 16나노, 16나노 |
| 일반적인 켜짐 지연 시간: | 6ns, 6ns |
| 너비: | 1.2mm |
| 단위 무게: | 0.000106온스 |
• 낮은 RDS(on)으로 시스템 효율성 향상
• 낮은 임계 전압
• 작은 설치 공간 1.6 x 1.6mm
• ESD 보호 게이트
• 이 장치는 무연, 무할로겐/무BFR이며 RoHS 규정을 준수합니다.
• 부하/전원 스위치
• 전원 공급 장치 변환기 회로
• 배터리 관리
• 휴대전화, 디지털 카메라, PDA, 호출기 등
