NVTFS5116PLTWG MOSFET 단일 P채널 60V, 14A, 52mohm
♠ 제품 설명
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조사: | 온세미 |
| 제품 카테고리: | 모스펫 |
| 기술: | Si |
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | WDFN-8 |
| 트랜지스터 극성: | P채널 |
| 채널 수: | 1채널 |
| Vds - 드레인-소스 항복 전압: | 60V |
| Id - 연속 드레인 전류: | 14A |
| RDS 켜짐 - 드레인-소스 저항: | 52m옴 |
| Vgs - 게이트-소스 전압: | - 20V, + 20V |
| Vgs th - 게이트-소스 임계 전압: | 3V |
| Qg - 게이트 전하: | 25nC |
| 최소 작동 온도: | - 55도 |
| 최대 작동 온도: | + 175도 |
| Pd - 전력 소모: | 21와트 |
| 채널 모드: | 상승 |
| 자격: | AEC-Q101 |
| 포장: | 릴 |
| 포장: | 테이프를 자르다 |
| 포장: | 마우스릴 |
| 상표: | 온세미 |
| 구성: | 하나의 |
| 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: | 11초 |
| 제품 유형: | 모스펫 |
| 시리즈: | NVTFS5116PL |
| 공장 포장 수량: | 5000 |
| 하위 카테고리: | MOSFET |
| 트랜지스터 유형: | 1 P채널 |
| 단위 무게: | 0.001043온스 |
• 컴팩트한 디자인을 위한 작은 크기(3.3 x 3.3mm)
• 전도 손실을 최소화하기 위한 낮은 RDS(on)
• 드라이버 손실을 최소화하기 위한 낮은 정전용량
• NVTFS5116PLWF − 습윤 가능 플랭크 제품
• AEC−Q101 인증 및 PPAP 가능
• 이 장치는 무연이며 RoHS 규정을 준수합니다.
