SI3417DV-T1-GE3 MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
♠ 상품 설명
제품 속성 | 속성 값 |
제조업체: | 비쉐이 |
제품 카테고리: | MOSFET |
RoHS: | 세부 |
기술: | Si |
장착 스타일: | SMD/SMT |
패키지/케이스: | TSOP-6 |
트랜지스터 극성: | P채널 |
채널 수: | 1 채널 |
Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 30V |
Id - 연속 드레인 전류: | 8A |
Rds On - 드레인 소스 저항: | 36m옴 |
Vgs - 게이트 소스 전압: | - 20V, +20V |
Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: | 3V |
Qg - 게이트 차지: | 50nC |
최소 작동 온도: | - 55℃ |
최대 작동 온도: | + 150C |
Pd - 전력 손실: | 4.2W |
채널 모드: | 상승 |
상표명: | TrenchFET |
시리즈: | SI3 |
포장: | 릴 |
포장: | 컷 테이프 |
포장: | 마우스릴 |
상표: | 비쉐이 반도체 |
구성: | 하나의 |
키: | 1.1mm |
길이: | 3.05mm |
상품 유형: | MOSFET |
공장 팩 수량: | 3000 |
하위 범주: | MOSFET |
너비: | 1.65mm |
단위 무게: | 0.000705온스 |
• TrenchFET® 전력 MOSFET
• 100% Rg 및 UIS 테스트 완료
• 재료 분류:
규정 준수의 정의는 데이터시트를 참조하십시오.
• 로드 스위치
• 어댑터 스위치
• DC/DC 컨버터
• 모바일 컴퓨팅/소비자용