SI7461DP-T1-GE3 MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
♠ 상품 설명
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조업체: | 비쉐이 |
| 제품 카테고리: | MOSFET |
| RoHS: | 세부 |
| 기술: | Si |
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | SOIC-8 |
| 트랜지스터 극성: | P채널 |
| 채널 수: | 1 채널 |
| Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 30V |
| Id - 연속 드레인 전류: | 5.7A |
| Rds On - 드레인 소스 저항: | 42m옴 |
| Vgs - 게이트 소스 전압: | - 10V, +10V |
| Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: | 1V |
| Qg - 게이트 차지: | 24nC |
| 최소 작동 온도: | - 55℃ |
| 최대 작동 온도: | + 150C |
| Pd - 전력 손실: | 2.5W |
| 채널 모드: | 상승 |
| 상표명: | TrenchFET |
| 포장: | 릴 |
| 포장: | 컷 테이프 |
| 포장: | 마우스릴 |
| 상표: | 비쉐이 반도체 |
| 구성: | 하나의 |
| 낙하 시간: | 30ns |
| 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: | 13S |
| 상품 유형: | MOSFET |
| 상승 시간: | 42ns |
| 시리즈: | SI9 |
| 공장 팩 수량: | 2500 |
| 하위 범주: | MOSFET |
| 트랜지스터 유형: | 1 P 채널 |
| 일반적인 끄기 지연 시간: | 30ns |
| 일반적인 켜기 지연 시간: | 14ns |
| 부품 번호 별칭: | SI9435BDY-E3 |
| 단위 무게: | 750mg |
• TrenchFET® 전력 MOSFET
• 1.07mm 프로파일이 낮은 낮은 열 저항 PowerPAK® 패키지EC
