SIA427ADJ-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
♠ 상품 설명
제품 속성 | 속성 값 |
제조업체: | 비쉐이 |
제품 카테고리: | MOSFET |
RoHS: | 세부 |
기술: | Si |
장착 스타일: | SMD/SMT |
패키지/케이스: | SC-70-6 |
트랜지스터 극성: | P채널 |
채널 수: | 1 채널 |
Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 8V |
Id - 연속 드레인 전류: | 12A |
Rds On - 드레인 소스 저항: | 95m옴 |
Vgs - 게이트 소스 전압: | - 5V, +5V |
Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: | 800mV |
Qg - 게이트 차지: | 50nC |
최소 작동 온도: | - 55℃ |
최대 작동 온도: | + 150C |
Pd - 전력 손실: | 19W |
채널 모드: | 상승 |
상표명: | TrenchFET |
포장: | 릴 |
포장: | 컷 테이프 |
포장: | 마우스릴 |
상표: | 비쉐이 반도체 |
구성: | 하나의 |
상품 유형: | MOSFET |
시리즈: | SIA |
공장 팩 수량: | 3000 |
하위 범주: | MOSFET |
단위 무게: | 82.330mg |
• TrenchFET® 전력 MOSFET
• 열 성능이 강화된 PowerPAK® SC-70 패키지
– 작은 설치 면적
– 낮은 온저항
• 100% Rg 테스트 완료
• 로드 스위치, 휴대용 및 핸드헬드 장치용 1.2V 전력선용