SIA427ADJ-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

간단한 설명:

제조사: 비쉐이
제품 카테고리:MOSFET
데이터 시트:SIA427ADJ-T1-GE3
기술:MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
RoHS 상태: RoHS 준수


제품 상세 정보

특징

애플리케이션

제품 태그

♠ 상품 설명

제품 속성 속성 값
제조업체: 비쉐이
제품 카테고리: MOSFET
RoHS: 세부
기술: Si
장착 스타일: SMD/SMT
패키지/케이스: SC-70-6
트랜지스터 극성: P채널
채널 수: 1 채널
Vds - 드레인 소스 항복 전압: 8V
Id - 연속 드레인 전류: 12A
Rds On - 드레인 소스 저항: 95m옴
Vgs - 게이트 소스 전압: - 5V, +5V
Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: 800mV
Qg - 게이트 차지: 50nC
최소 작동 온도: - 55℃
최대 작동 온도: + 150C
Pd - 전력 손실: 19W
채널 모드: 상승
상표명: TrenchFET
포장:
포장: 컷 테이프
포장: 마우스릴
상표: 비쉐이 반도체
구성: 하나의
상품 유형: MOSFET
시리즈: SIA
공장 팩 수량: 3000
하위 범주: MOSFET
단위 무게: 82.330mg

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  • • TrenchFET® 전력 MOSFET

    • 열 성능이 강화된 PowerPAK® SC-70 패키지

    – 작은 설치 면적

    – 낮은 온저항

    • 100% Rg 테스트 완료

    • 로드 스위치, 휴대용 및 핸드헬드 장치용 1.2V 전력선용

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