SQM50034EL_GE3 MOSFET N-CHANNEL 60-V(DS) 175C MOSFET
♠ 상품 설명
제품 속성 | 속성 값 |
제조업체: | 비쉐이 |
제품 카테고리: | MOSFET |
RoHS: | 세부 |
기술: | Si |
장착 스타일: | SMD/SMT |
패키지/케이스: | TO-263-3 |
트랜지스터 극성: | N채널 |
채널 수: | 1 채널 |
Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 60V |
Id - 연속 드레인 전류: | 100A |
Rds On - 드레인 소스 저항: | 3.2m옴 |
Vgs - 게이트 소스 전압: | - 20V, +20V |
Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: | 2V |
Qg - 게이트 차지: | 60nC |
최소 작동 온도: | - 55℃ |
최대 작동 온도: | + 175C |
Pd - 전력 손실: | 150W |
채널 모드: | 상승 |
상표명: | TrenchFET |
상표: | 비쉐이 / 실리닉스 |
구성: | 하나의 |
낙하 시간: | 7ns |
상품 유형: | MOSFET |
상승 시간: | 7ns |
시리즈: | SQ |
공장 팩 수량: | 800 |
하위 범주: | MOSFET |
일반적인 끄기 지연 시간: | 33ns |
일반적인 켜기 지연 시간: | 15ns |
단위 무게: | 0.139332온스 |
• TrenchFET® 전력 MOSFET
• 열 저항이 낮은 패키지
• 100% Rg 및 UIS 테스트
• AEC-Q101 인증