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STD4NK100Z MOSFET 자동차용 N채널 1000V, 5.6옴, 일반 2.2A SuperMESH 전력 MOSFET

STD4NK100Z MOSFET 자동차용 N채널 1000V, 5.6옴, 일반 2.2A SuperMESH 전력 MOSFET 특징 이미지
  • STD4NK100Z MOSFET 자동차용 N채널 1000V, 5.6옴, 일반 2.2A SuperMESH 전력 MOSFET

간단한 설명:

제조업체: STMicroelectronics
제품 카테고리:MOSFET
데이터 시트:STD4NK100Z
설명: 전력 MOSFET
RoHS 상태: RoHS 준수


우리에게 이메일을 보내주세요

제품 상세 정보

특징

응용 프로그램

제품 태그

♠ 제품 설명

제품 속성 속성 값
제조사: ST마이크로일렉트로닉스
제품 카테고리: 모스펫
RoHS: 세부
기술: Si
장착 스타일: SMD/SMT
패키지/케이스: TO-252-3
트랜지스터 극성: N채널
채널 수: 1채널
Vds - 드레인-소스 항복 전압: 1kV
Id - 연속 드레인 전류: 2.2A
RDS 켜짐 - 드레인-소스 저항: 6.8옴
Vgs - 게이트-소스 전압: - 30V, + 30V
Vgs th - 게이트-소스 임계 전압: 4.5V
Qg - 게이트 전하: 18nC
최소 작동 온도: - 55도
최대 작동 온도: + 150도
Pd - 전력 소모: 90와트
채널 모드: 상승
자격: AEC-Q101
상표명: 슈퍼메시
시리즈: STD4NK100Z
포장: 릴
포장: 테이프를 자르다
포장: 마우스릴
상표: ST마이크로일렉트로닉스
구성: 하나의
가을 시간: 39나노초
키: 2.4mm
길이: 10.1mm
제품: 전력 MOSFET
제품 유형: 모스펫
상승 시간: 7.5나노초
공장 포장 수량: 2500
하위 카테고리: MOSFET
트랜지스터 유형: 1 N채널
유형: 슈퍼메시
일반적인 켜짐 지연 시간: 15나노초
너비: 6.6mm
단위 무게: 0.011640 온스

 

♠ 자동차용 N채널 1000V, 5.6Ω typ., 2.2A SuperMESH™ 전력 MOSFET DPAK에서 제너 보호

이 소자는 STMicroelectronics의 SuperMESH™ 기술을 사용하여 개발된 N채널 제너 보호형 전력 MOSFET으로, ST의 검증된 스트립 기반 PowerMESH™ 레이아웃을 최적화하여 구현되었습니다. 온 저항을 크게 낮춘 것 외에도, 이 소자는 가장 까다로운 애플리케이션에서도 높은 수준의 dv/dt 성능을 보장하도록 설계되었습니다.


  • 이전의: STM8AF6266TCY 8비트 마이크로컨트롤러 – MCU 자동차용 8비트 MCU Rev X LIN 32Kb 32핀
  • 다음: STM32F401RET6 ARM 마이크로컨트롤러 – MCU STM32 동적 효율 MCU, Arm Cortex-M4 코어 DSP 및 FPU, 최대 512KB

  • • 자동차 애플리케이션용으로 설계되었으며 AEC-Q101 인증을 받았습니다.

    • 매우 높은 dv/dt 성능

    • 100% 눈사태 테스트 완료

    • 게이트 요금 최소화

    • 매우 낮은 고유 정전용량

    • 제너 보호

    • 애플리케이션 전환

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