SUD19P06-60-GE3 MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V
♠ 상품 설명
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조업체: | 비쉐이 |
| 제품 카테고리: | MOSFET |
| 기술: | Si |
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | TO-252-3 |
| 트랜지스터 극성: | P채널 |
| 채널 수: | 1 채널 |
| Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 60V |
| Id - 연속 드레인 전류: | 50A |
| Rds On - 드레인 소스 저항: | 60m옴 |
| Vgs - 게이트 소스 전압: | - 20V, +20V |
| Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: | 3V |
| Qg - 게이트 차지: | 40nC |
| 최소 작동 온도: | - 55℃ |
| 최대 작동 온도: | + 150C |
| Pd - 전력 손실: | 113W |
| 채널 모드: | 상승 |
| 상표명: | TrenchFET |
| 포장: | 릴 |
| 포장: | 컷 테이프 |
| 포장: | 마우스릴 |
| 상표: | 비쉐이 반도체 |
| 구성: | 하나의 |
| 낙하 시간: | 30ns |
| 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: | 22S |
| 상품 유형: | MOSFET |
| 상승 시간: | 9ns |
| 시리즈: | SUD |
| 공장 팩 수량: | 2000년 |
| 하위 범주: | MOSFET |
| 트랜지스터 유형: | 1 P 채널 |
| 일반적인 끄기 지연 시간: | 65ns |
| 일반적인 켜기 지연 시간: | 8ns |
| 부품 번호 별칭: | SUD19P06-60-BE3 |
| 단위 무게: | 0.011640온스 |
• IEC 61249-2-21 정의에 따른 할로겐 프리
• TrenchFET® 전력 MOSFET
• 100% UIS 테스트 완료
• RoHS 지침 2002/95/EC 준수
• 풀 브리지 컨버터용 하이 사이드 스위치
• LCD 디스플레이용 DC/DC 컨버터
