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SUD50P06-15-GE3 MOSFET 60V 50A 113W 15mohm @ 10V

SUD50P06-15-GE3 MOSFET 60V 50A 113W 15mohm @ 10V 추천 이미지
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간단한 설명:

제조사: Vishay
제품 카테고리:MOSFET
데이터 시트:SUD50P06-15-GE3
설명: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
RoHS 상태: RoHS 준수


우리에게 이메일을 보내주세요

제품 상세 정보

특징

응용 프로그램

제품 태그

♠ 제품 설명

제품 속성 속성 값
제조사: 비샤이
제품 카테고리: 모스펫
RoHS: 세부
기술: Si
장착 스타일: SMD/SMT
패키지/케이스: TO-252-3
트랜지스터 극성: P채널
채널 수: 1채널
Vds - 드레인-소스 항복 전압: 60V
Id - 연속 드레인 전류: 50A
RDS 켜짐 - 드레인-소스 저항: 15m옴
Vgs - 게이트-소스 전압: - 20V, + 20V
Vgs th - 게이트-소스 임계 전압: 3V
Qg - 게이트 전하: 40nC
최소 작동 온도: - 55도
최대 작동 온도: + 150도
Pd - 전력 소모: 113와트
채널 모드: 상승
상표명: 트렌치펫
포장: 릴
포장: 테이프를 자르다
포장: 마우스릴
상표: 비샤이 반도체
구성: 하나의
가을 시간: 30나노초
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 61초
키: 2.38mm
길이: 6.73mm
제품 유형: 모스펫
상승 시간: 9나노
시리즈: 수드
공장 포장 수량: 2000
하위 카테고리: MOSFET
트랜지스터 유형: 1 P채널
일반적인 꺼짐 지연 시간: 65나노초
일반적인 켜짐 지연 시간: 8나노초
너비: 6.22mm
부품 번호 별칭: SUD50P06-15-BE3
단위 무게: 330mg

  • 이전의: SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
  • 다음: DG441DY-T1-E3 아날로그 스위치 IC 쿼드 SPST 아날로그 스위치

  • • TrenchFET® 전력 MOSFET

     

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