SUD50P06-15-GE3 MOSFET 60V 50A 113W 15mohm @ 10V

간단한 설명:

제조사: 비쉐이
제품 카테고리:MOSFET
데이터 시트:SUD50P06-15-GE3
기술:MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
RoHS 상태: RoHS 준수


제품 상세 정보

특징

애플리케이션

제품 태그

♠ 상품 설명

제품 속성 속성 값
제조업체: 비쉐이
제품 카테고리: MOSFET
RoHS: 세부
기술: Si
장착 스타일: SMD/SMT
패키지/케이스: TO-252-3
트랜지스터 극성: P채널
채널 수: 1 채널
Vds - 드레인 소스 항복 전압: 60V
Id - 연속 드레인 전류: 50A
Rds On - 드레인 소스 저항: 15m옴
Vgs - 게이트 소스 전압: - 20V, +20V
Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: 3V
Qg - 게이트 차지: 40nC
최소 작동 온도: - 55℃
최대 작동 온도: + 150C
Pd - 전력 손실: 113W
채널 모드: 상승
상표명: TrenchFET
포장:
포장: 컷 테이프
포장: 마우스릴
상표: 비쉐이 반도체
구성: 하나의
낙하 시간: 30ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 61S
키: 2.38mm
길이: 6.73mm
상품 유형: MOSFET
상승 시간: 9ns
시리즈: SUD
공장 팩 수량: 2000년
하위 범주: MOSFET
트랜지스터 유형: 1 P 채널
일반적인 끄기 지연 시간: 65ns
일반적인 켜기 지연 시간: 8ns
너비: 6.22mm
부품 번호 별칭: SUD50P06-15-BE3
단위 무게: 330mg

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