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SUD50P10-43L-E3 MOSFET 100V 37A 136W 43mohm 10V

SUD50P10-43L-E3 MOSFET 100V 37A 136W 43mohm 10V 추천 이미지
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간단한 설명:

제조업체: Vishay / Siliconix

제품 카테고리: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

데이터 시트:SUD50P10-43L-E3

설명: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252

RoHS 상태: RoHS 준수


우리에게 이메일을 보내주세요

제품 상세 정보

특징

제품 태그

♠ 제품 설명

제품 속성 속성 값
제조사: 비샤이
제품 카테고리: 모스펫
RoHS: 세부
기술: Si
장착 스타일: SMD/SMT
패키지/케이스: TO-252-3
트랜지스터 극성: P채널
채널 수: 1채널
Vds - 드레인-소스 항복 전압: 100V
Id - 연속 드레인 전류: 37.1A
RDS 켜짐 - 드레인-소스 저항: 43m옴
Vgs - 게이트-소스 전압: - 20V, + 20V
Vgs th - 게이트-소스 임계 전압: 1V
Qg - 게이트 전하: 106nC
최소 작동 온도: - 55도
최대 작동 온도: + 175도
Pd - 전력 소모: 136와트
채널 모드: 상승
상표명: 트렌치펫
포장: 릴
포장: 테이프를 자르다
포장: 마우스릴
상표: 비샤이 반도체
구성: 하나의
가을 시간: 100나노초
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 38초
키: 2.38mm
길이: 6.73mm
제품 유형: 모스펫
상승 시간: 20ns, 160ns
시리즈: 수드
공장 포장 수량: 2000
하위 카테고리: MOSFET
트랜지스터 유형: 1 P채널
일반적인 꺼짐 지연 시간: 100ns, 110ns
일반적인 켜짐 지연 시간: 15ns, 42ns
너비: 6.22mm
부품 번호 별칭: SUD50P10-43L-BE3
단위 무게: 0.011640 온스

 


  • 이전의: SUD19P06-60-GE3 MOSFET 60V 19A 38.5W 60mΩ @ 10V
  • 다음: MUN5113DW1T1G 바이폴라 트랜지스터 - 사전 바이어스 SS BR XSTR PNP 50V

  • • TrenchFET® 전력 MOSFET

    • RoHS 지침 2002/95/EC 준수

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