VNL5030JTR-E 게이트 드라이버 OMNIFET III 드라이버 로우사이드 ESD VIPower
♠ 제품 설명
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조사: | ST마이크로일렉트로닉스 |
| 제품 카테고리: | 게이트 드라이버 |
| 시리즈: | VNL5030J-E |
| 자격: | AEC-Q100 |
| 포장: | 릴 |
| 포장: | 테이프를 자르다 |
| 포장: | 마우스릴 |
| 상표: | ST마이크로일렉트로닉스 |
| 습기에 민감함: | 예 |
| 제품 유형: | 게이트 드라이버 |
| 공장 포장 수량: | 2500 |
| 하위 카테고리: | PMIC - 전력 관리 IC |
| 기술: | Si |
| 단위 무게: | 0.004004온스 |
♠ OMNIFET III 완전 보호형 로우사이드 드라이버
VNL5030J-E와 VNL5030S5-E는 STMicroelectronics® VIPower® 기술을 사용하여 제작된 모놀리식 소자로, 한쪽 면이 배터리에 연결된 저항성 또는 유도성 부하를 구동하도록 설계되었습니다. 내장된 과열 차단 기능은 칩을 과열 및 단락으로부터 보호합니다. 출력 전류 제한 기능은 과부하 상태에서 소자를 보호합니다. 장시간 과부하 발생 시, 소자는 과열 차단 기능이 작동할 때까지 소모 전력을 안전한 수준으로 제한합니다. 자동 재시작 기능을 갖춘 과열 차단 기능은 고장 상태가 사라지는 즉시 소자가 정상 작동 상태로 복귀하도록 합니다. 턴오프 시 유도성 부하의 빠른 자기 소거가 이루어집니다.
• 자동차 인증
• 드레인 전류: 25A
• ESD 보호
• 과전압 클램프
• 열적 종료
• 전류 및 전력 제한
• 매우 낮은 대기 전류
• 매우 낮은 전자파 감수성
• 유럽 지침 2002/95/EC 준수
• 오픈 드레인 상태 출력
