BUK9K35-60E, 115 MOSFET BUK9K35-60E/SOT1205/LFPAK56D
♠ 제품 설명
제품 속성 | 속성 값 |
제조사: | 넥스페리아 |
제품 카테고리: | 모스펫 |
RoHS: | 세부 |
기술: | Si |
장착 스타일: | SMD/SMT |
패키지/케이스: | LFPAK-56D-8 |
트랜지스터 극성: | N채널 |
채널 수: | 2채널 |
Vds - 드레인-소스 항복 전압: | 60V |
Id - 연속 드레인 전류: | 22A |
RDS 켜짐 - 드레인-소스 저항: | 32m옴 |
Vgs - 게이트-소스 전압: | - 10V, + 10V |
Vgs th - 게이트-소스 임계 전압: | 1.4V |
Qg - 게이트 전하: | 7.8nC |
최소 작동 온도: | - 55도 |
최대 작동 온도: | + 175도 |
Pd - 전력 소모: | 38와트 |
채널 모드: | 상승 |
자격: | AEC-Q101 |
포장: | 릴 |
포장: | 테이프를 자르다 |
포장: | 마우스릴 |
상표: | 넥스페리아 |
구성: | 듀얼 |
가을 시간: | 10.6나노초 |
제품 유형: | 모스펫 |
상승 시간: | 11.3나노초 |
공장 포장 수량: | 1500 |
하위 카테고리: | MOSFET |
트랜지스터 유형: | 2 N채널 |
일반적인 꺼짐 지연 시간: | 14.9나노초 |
일반적인 켜짐 지연 시간: | 7.1나노초 |
부품 번호 별칭: | 934066977115 |
단위 무게: | 0.003958 온스 |
♠ BUK9K35-60E 듀얼 N채널 60V, 35mΩ 로직 레벨 MOSFET
TrenchMOS 기술을 사용하는 LFPAK56D(Dual Power-SO8) 패키지의 듀얼 로직 레벨 N채널 MOSFET입니다. 본 제품은 고성능 자동차 애플리케이션에 사용하도록 AEC Q101 표준에 따라 설계 및 인증되었습니다.
• 듀얼 MOSFET
• Q101 준수
• 반복적인 눈사태 정격
• 175°C 정격으로 인해 열적으로 까다로운 환경에 적합
• 175°C에서 0.5V 이상의 VGS(th) 정격을 갖는 진정한 논리 레벨 게이트
• 12V 자동차 시스템
• 모터, 램프 및 솔레노이드 제어
• 전송 제어
• 초고성능 전원 스위칭