FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ 상품 설명
| 제품의 속성 | Valor de atributo |
| 파브리칸테: | 온세미 |
| 제품 카테고리: | MOSFET |
| RoHS: | 상세 |
| 기술: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| 파케테/쿠비에르타: | SSOT-3 |
| Polaridad 델 트랜지스터: | P채널 |
| 채널 번호: | 1 채널 |
| Vds - Tensiónruptiva entre drenaje y fuente: | 30V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 63m옴 |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20V, +20V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 3V |
| Qg - Carga de puerta: | 9nC |
| 작업 온도 최소: | - 55℃ |
| 최대 작업 온도: | + 150C |
| Dp - Disipación de potencia : | 500mW |
| 모도운하: | 상승 |
| Nombre 광고: | 파워트렌치 |
| 엠파케타도: | 릴 |
| 엠파케타도: | 컷 테이프 |
| 엠파케타도: | 마우스릴 |
| 마르카: | 온세미 / 페어차일드 |
| 구성: | 하나의 |
| 티엠포 데 카이다: | 13ns |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 5S |
| 알투라: | 1.12mm |
| 경도: | 2.9mm |
| 제품: | MOSFET 소신호 |
| 제품 정보: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 13ns |
| 시리즈: | FDN360P |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| 하위 카테고리: | MOSFET |
| 트랜지스터 유형: | 1 P 채널 |
| 팁: | MOSFET |
| Tipico의 지연 시간: | 11ns |
| entence típico de demora de encendido: | 6ns |
| 안초: | 1.4mm |
| 별칭 de las piezas n.º: | FDN360P_NL |
| 페소 데 라 우니다드: | 0.001058온스 |
♠ 단일 P-채널, PowerTrenchÒ MOSFET
이 P-채널 논리 레벨 MOSFET은 온 상태 저항을 최소화하면서도 우수한 스위칭 성능을 위해 낮은 게이트 전하를 유지하도록 특별히 맞춤화된 ON Semiconductor 고급 전력 트렌치 공정을 사용하여 생산됩니다.
이 장치는 낮은 인라인 전력 손실과 빠른 스위칭이 필요한 저전압 및 배터리 구동식 애플리케이션에 매우 적합합니다.
· –2A, –30V. RDS(ON) = 80mW @ VGS = –10V RDS(ON) = 125mW @ VGS = –4.5V
· 낮은 게이트 전하(보통 6.2nC) · 극도로 낮은 RDS(ON)을 위한 고성능 트렌치 기술.
· 산업 표준 SOT-23 패키지의 고전력 버전.30% 더 높은 전력 처리 기능을 갖춘 SOT-23과 동일한 핀아웃.
· 이 장치는 무연이며 RoHS 규격을 준수합니다.
