CSD88537ND MOSFET 60V 이중 N채널 전력 MOSFET
♠ 상품 설명
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조업체: | 텍사스 인스트루먼트 |
| 제품 카테고리: | MOSFET |
| RoHS: | 세부 |
| 기술: | Si |
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | SOIC-8 |
| 트랜지스터 극성: | N채널 |
| 채널 수: | 2채널 |
| Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 60V |
| Id - 연속 드레인 전류: | 16A |
| Rds On - 드레인 소스 저항: | 15m옴 |
| Vgs - 게이트 소스 전압: | - 20V, +20V |
| Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: | 2.6V |
| Qg - 게이트 차지: | 14nC |
| 최소 작동 온도: | - 55℃ |
| 최대 작동 온도: | + 150C |
| Pd - 전력 손실: | 2.1W |
| 채널 모드: | 상승 |
| 상표명: | NexFET |
| 포장: | 릴 |
| 포장: | 컷 테이프 |
| 포장: | 마우스릴 |
| 상표: | 텍사스 인스트루먼트 |
| 구성: | 듀얼 |
| 낙하 시간: | 19ns |
| 키: | 1.75mm |
| 길이: | 4.9mm |
| 상품 유형: | MOSFET |
| 상승 시간: | 15ns |
| 시리즈: | CSD88537ND |
| 공장 팩 수량: | 2500 |
| 하위 범주: | MOSFET |
| 트랜지스터 유형: | 2 N 채널 |
| 일반적인 끄기 지연 시간: | 5ns |
| 일반적인 켜기 지연 시간: | 6ns |
| 너비: | 3.9mm |
| 단위 무게: | 74mg |
♠ CSD88537ND 이중 60V N-채널 NexFET™ 전력 MOSFET
이 이중 SO-8, 60V, 12.5mΩ NexFET™ 전력 MOSFET은 저전류 모터 제어 응용 제품에서 하프 브리지 역할을 하도록 설계되었습니다.
• 초저 Qg 및 Qgd
• 눈사태 등급
• 무연
• RoHS 준수
• 무할로겐
• 모터 제어용 하프 브리지
• 동기식 벅 컨버터
