FDD4N60NZ MOSFET 2.5A 출력 전류 GateDrive Optocopler
♠ 상품 설명
제품 속성 | 속성 값 |
제조업체: | 온세미 |
제품 카테고리: | MOSFET |
RoHS: | 세부 |
기술: | Si |
장착 스타일: | SMD/SMT |
패키지/케이스: | DPAK-3 |
트랜지스터 극성: | N채널 |
채널 수: | 1 채널 |
Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 600V |
Id - 연속 드레인 전류: | 1.7A |
Rds On - 드레인 소스 저항: | 1.9옴 |
Vgs - 게이트 소스 전압: | - 25V, + 25V |
Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: | 5V |
Qg - 게이트 차지: | 8.3nC |
최소 작동 온도: | - 55℃ |
최대 작동 온도: | + 150C |
Pd - 전력 손실: | 114W |
채널 모드: | 상승 |
상표명: | UniFET |
포장: | 릴 |
포장: | 컷 테이프 |
포장: | 마우스릴 |
상표: | 온세미 / 페어차일드 |
구성: | 하나의 |
낙하 시간: | 12.8ns |
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: | 3.4초 |
키: | 2.39mm |
길이: | 6.73mm |
제품: | MOSFET |
상품 유형: | MOSFET |
상승 시간: | 15.1ns |
시리즈: | FDD4N60NZ |
공장 팩 수량: | 2500 |
하위 범주: | MOSFET |
트랜지스터 유형: | N채널 1개 |
일반적인 끄기 지연 시간: | 30.2ns |
일반적인 켜기 지연 시간: | 12.7ns |
너비: | 6.22mm |
단위 무게: | 0.011640온스 |