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FDD4N60NZ MOSFET 2.5A 출력 전류 게이트 드라이브 광커플러

FDD4N60NZ MOSFET 2.5A 출력 전류 게이트 드라이브 광커플러 추천 이미지
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간단한 설명:

제조업체: ON Semiconductor

제품 카테고리: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

데이터 시트:FDD4N60NZ

설명: MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK

RoHS 상태: RoHS 준수


우리에게 이메일을 보내주세요

제품 상세 정보

제품 태그

♠ 제품 설명

제품 속성 속성 값
제조사: 온세미
제품 카테고리: 모스펫
RoHS: 세부
기술: Si
장착 스타일: SMD/SMT
패키지/케이스: DPAK-3
트랜지스터 극성: N채널
채널 수: 1채널
Vds - 드레인-소스 항복 전압: 600V
Id - 연속 드레인 전류: 1.7A
RDS 켜짐 - 드레인-소스 저항: 1.9옴
Vgs - 게이트-소스 전압: - 25V, + 25V
Vgs th - 게이트-소스 임계 전압: 5V
Qg - 게이트 전하: 8.3nC
최소 작동 온도: - 55도
최대 작동 온도: + 150도
Pd - 전력 소모: 114와트
채널 모드: 상승
상표명: 유니펫
포장: 릴
포장: 테이프를 자르다
포장: 마우스릴
상표: 온세미 / 페어차일드
구성: 하나의
가을 시간: 12.8나노초
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 3.4초
키: 2.39mm
길이: 6.73mm
제품: 모스펫
제품 유형: 모스펫
상승 시간: 15.1나노초
시리즈: FDD4N60NZ
공장 포장 수량: 2500
하위 카테고리: MOSFET
트랜지스터 유형: 1 N채널
일반적인 꺼짐 지연 시간: 30.2나노초
일반적인 켜짐 지연 시간: 12.7나노초
너비: 6.22mm
단위 무게: 0.011640 온스

 


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