FDD4N60NZ MOSFET 2.5A 출력 전류 GateDrive Optocopler

간단한 설명:

제조사: 온세미컨덕터

제품 범주: 트랜지스터 – FET, MOSFET – 단일

데이터 시트:FDD4N60NZ

설명: MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK

RoHS 상태: RoHS 준수


제품 상세 정보

제품 태그

♠ 상품 설명

제품 속성 속성 값
제조업체: 온세미
제품 카테고리: MOSFET
RoHS: 세부
기술: Si
장착 스타일: SMD/SMT
패키지/케이스: DPAK-3
트랜지스터 극성: N채널
채널 수: 1 채널
Vds - 드레인 소스 항복 전압: 600V
Id - 연속 드레인 전류: 1.7A
Rds On - 드레인 소스 저항: 1.9옴
Vgs - 게이트 소스 전압: - 25V, + 25V
Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: 5V
Qg - 게이트 차지: 8.3nC
최소 작동 온도: - 55℃
최대 작동 온도: + 150C
Pd - 전력 손실: 114W
채널 모드: 상승
상표명: UniFET
포장:
포장: 컷 테이프
포장: 마우스릴
상표: 온세미 / 페어차일드
구성: 하나의
낙하 시간: 12.8ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 3.4초
키: 2.39mm
길이: 6.73mm
제품: MOSFET
상품 유형: MOSFET
상승 시간: 15.1ns
시리즈: FDD4N60NZ
공장 팩 수량: 2500
하위 범주: MOSFET
트랜지스터 유형: N채널 1개
일반적인 끄기 지연 시간: 30.2ns
일반적인 켜기 지연 시간: 12.7ns
너비: 6.22mm
단위 무게: 0.011640온스

 


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