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FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V

FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V 추천 이미지
  • FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
  • FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V

간단한 설명:

제조업체: ON Semiconductor

제품 카테고리: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

데이터 시트:FDN360P

설명: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

RoHS 상태: RoHS 준수


우리에게 이메일을 보내주세요

제품 상세 정보

특징

제품 태그

♠ 제품 설명

제품 속성 귀속 가치
제작자: 온세미
제품 카테고리: 모스펫
RoHS: 세부 정보
기술: Si
등산 스타일: SMD/SMT
파케테/쿠비에르타: SSOT-3
트랜지스터의 극성: P채널
운하 번호: 1채널
Vds - Tensiónruptiva entre drenaje y fuente: 30V
Id - Corriente de drenaje continuea: 2A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 63m옴
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20V, + 20V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3V
Qg - 문 로드: 9nC
최소 작업 온도: - 55도
최대 온도 온도: + 150도
Dp - Disipación de potencia: 500mW
모도 운하: 상승
상업 이름: 파워트렌치
포장됨: 릴
포장됨: 테이프를 자르다
포장됨: 마우스릴
브랜드: 온세미 / 페어차일드
구성: 하나의
시간이 흐르는 시간: 13나노초
Transconductancia hacia delante - 최소: 5초
알투라: 1.12mm
경도: 2.9mm
제품: MOSFET 소신호
제품 유형: 모스펫
구독 시간: 13나노초
시리즈: FDN360P
직물의 엠파케 칸티다드(Cantidad de empaque de fábrica): 3000
하위 카테고리: MOSFET
트랜지스터 종류: 1 P채널
유형: 모스펫
아파가도 시간 지연 시간: 11나노초
엔센디도 데모의 주제: 6나노초
안초: 1.4mm
별칭 조각 번호: FDN360P_NL
단위의 무게: 0.001058온스

♠ 단일 P채널, PowerTrench™ MOSFET

이 P채널 로직 레벨 MOSFET은 온 상태 저항을 최소화하고도 낮은 게이트 전하를 유지하여 탁월한 스위칭 성능을 발휘하도록 특별히 제작된 ON Semiconductor의 첨단 Power Trench 공정을 사용하여 생산되었습니다.

이러한 장치는 낮은 인라인 전력 손실과 빠른 스위칭이 요구되는 저전압 및 배터리 구동 애플리케이션에 매우 적합합니다.


  • 이전의: STM32F405VGT7 ARM 마이크로컨트롤러 MCU 고성능 DSP FPU ARM CortexM4 MCU
  • 다음: MGA-62563-TR1G RF 증폭기 3 SV 22 dB

  • · –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = –10 V RDS(ON) = 125 mW @ VGS = –4.5 V

    · 낮은 게이트 전하(일반적으로 6.2nC) · 매우 낮은 RDS(ON)을 위한 고성능 트렌치 기술.

    · 산업 표준 SOT-23 패키지의 고전력 버전입니다. SOT-23과 핀 배치가 동일하며, 전력 처리 용량이 30% 더 높습니다.

    · 이 장치는 무연이며 RoHS 규정을 준수합니다.

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