NVR4501NT1G MOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
♠ 제품 설명
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조사: | 온세미 |
| 제품 카테고리: | 모스펫 |
| RoHS: | 세부 |
| 기술: | Si |
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | SOT-23-3 |
| 트랜지스터 극성: | N채널 |
| 채널 수: | 1채널 |
| Vds - 드레인-소스 항복 전압: | 20V |
| Id - 연속 드레인 전류: | 3.2A |
| RDS 켜짐 - 드레인-소스 저항: | 80m옴 |
| Vgs - 게이트-소스 전압: | - 12V, + 12V |
| Vgs th - 게이트-소스 임계 전압: | 650mV |
| Qg - 게이트 전하: | 2.4nC |
| 최소 작동 온도: | - 55도 |
| 최대 작동 온도: | + 150도 |
| Pd - 전력 소모: | 1.25와트 |
| 채널 모드: | 상승 |
| 자격: | AEC-Q101 |
| 포장: | 릴 |
| 포장: | 테이프를 자르다 |
| 포장: | 마우스릴 |
| 상표: | 온세미 |
| 구성: | 하나의 |
| 가을 시간: | 3나노 |
| 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: | 9초 |
| 제품 유형: | 모스펫 |
| 상승 시간: | 12나노초 |
| 시리즈: | NTR4501 |
| 공장 포장 수량: | 3000 |
| 하위 카테고리: | MOSFET |
| 트랜지스터 유형: | 1 N채널 |
| 일반적인 꺼짐 지연 시간: | 12나노초 |
| 일반적인 켜짐 지연 시간: | 6.5나노초 |
| 단위 무게: | 0.000282온스 |
• 낮은 게이트 전하량/빠른 스위칭을 위한 선도적인 평면 기술
• 저전압 게이트 드라이브에 대한 2.5V 정격
• 소형 설치 공간을 위한 SOT−23 표면 실장
• 자동차 및 기타 애플리케이션을 위한 NVR 접두사고유한 사이트 및 제어 변경 요구 사항; AEC−Q101자격 및 PPAP 가능
• 이 장치는 무연이며 RoHS 규정을 준수합니다.
• 휴대용 기기용 부하/전원 스위치
• 컴퓨팅을 위한 부하/전원 스위치
• DC-DC 변환
