SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P 쌍
♠ 상품 설명
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조업체: | 비쉐이 |
| 제품 카테고리: | MOSFET |
| RoHS: | 세부 |
| 기술: | Si |
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | SC-89-6 |
| 트랜지스터 극성: | N채널, P채널 |
| 채널 수: | 2채널 |
| Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 60V |
| Id - 연속 드레인 전류: | 500mA |
| Rds On - 드레인 소스 저항: | 1.4옴, 4옴 |
| Vgs - 게이트 소스 전압: | - 20V, +20V |
| Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: | 1V |
| Qg - 게이트 차지: | 750pC, 1.7nC |
| 최소 작동 온도: | - 55℃ |
| 최대 작동 온도: | + 150C |
| Pd - 전력 손실: | 280mW |
| 채널 모드: | 상승 |
| 상표명: | TrenchFET |
| 포장: | 릴 |
| 포장: | 컷 테이프 |
| 포장: | 마우스릴 |
| 상표: | 비쉐이 반도체 |
| 구성: | 듀얼 |
| 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: | 200mS, 100mS |
| 키: | 0.6mm |
| 길이: | 1.66mm |
| 상품 유형: | MOSFET |
| 시리즈: | SI1 |
| 공장 팩 수량: | 3000 |
| 하위 범주: | MOSFET |
| 트랜지스터 유형: | N채널 1개, P채널 1개 |
| 일반적인 끄기 지연 시간: | 20ns, 35ns |
| 일반적인 켜기 지연 시간: | 15ns, 20ns |
| 너비: | 1.2mm |
| 부품 번호 별칭: | SI1029X-GE3 |
| 단위 무게: | 32mg |
• IEC 61249-2-21 정의에 따른 할로겐 프리
• TrenchFET® 전력 MOSFET
• 매우 작은 설치 공간
• 하이사이드 스위칭
• 낮은 온 저항:
N채널, 1.40Ω
P채널, 4Ω
• 낮은 임계값: ± 2V(통상)
• 빠른 전환 속도: 15ns(일반)
• 게이트 소스 ESD 보호: 2000V
• RoHS 지침 2002/95/EC 준수
• 디지털 트랜지스터, 레벨 시프터 교체
• 배터리 작동 시스템
• 전원 변환기 회로
