VNS1NV04DPTR-E 게이트 드라이버 OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7A
♠ 상품 설명
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조업체: | ST마이크로일렉트로닉스 |
| 제품 카테고리: | 게이트 드라이버 |
| 제품: | MOSFET 게이트 드라이버 |
| 유형: | 로우사이드 |
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | SOIC-8 |
| 드라이버 수: | 2 드라이버 |
| 출력 수: | 2 출력 |
| 출력 전류: | 1.7A |
| 공급 전압 - 최대: | 24V |
| 상승 시간: | 500ns |
| 낙하 시간: | 600ns |
| 최소 작동 온도: | - 40℃ |
| 최대 작동 온도: | + 150C |
| 시리즈: | VNS1NV04DP-E |
| 자격: | AEC-Q100 |
| 포장: | 릴 |
| 포장: | 컷 테이프 |
| 포장: | 마우스릴 |
| 상표: | ST마이크로일렉트로닉스 |
| 수분 민감성: | 예 |
| 작동 공급 전류: | 150uA |
| 상품 유형: | 게이트 드라이버 |
| 공장 팩 수량: | 2500 |
| 하위 범주: | PMIC - 전원 관리 IC |
| 기술: | Si |
| 단위 무게: | 0.005291온스 |
♠ OMNIFET II 완전 자동 보호 전력 MOSFET
VNS1NV04DP-E는 표준 SO-8 패키지에 내장된 2개의 모놀리식 OMNIFET II 칩으로 구성된 장치입니다.OMNIFET II는 STMicroelectronics VIPower™ M0-3 기술로 설계되었습니다. DC에서 최대 50KHz 애플리케이션까지의 표준 전력 MOSFET을 대체하기 위한 것입니다.열 셧다운, 선형 전류 제한 및 과전압 클램프가 내장되어 열악한 환경에서 칩을 보호합니다.
오류 피드백은 입력 핀에서 전압을 모니터링하여 감지할 수 있습니다.
• 선형 전류 제한
• 과열 차단
• 단락 보호
• 통합 클램프
• 입력 핀에서 끌어온 낮은 전류
• 입력 핀을 통한 진단 피드백
• ESD 보호
• 전력 MOSFET의 게이트에 직접 접근(아날로그 구동)
• 표준 전력 MOSFET과 호환 가능
• 2002/95/EC 유럽 지침 준수
